鵬城半導體技術（深圳）有限公司

 

鵬城半導體技術（深圳）有限公司，由哈爾濱工業大學（深圳）、北京琨騰科技有限公司以及有多年實踐經驗的工程師團隊共同發起創建。公司立足于技術前沿與市場前沿的交叉點，尋求創新引領與可持續發展，解決產業的痛點和國產化難題，爭取產業鏈的自主可控。

 

公司核心業務是半導體材料、工藝和裝備的研發設計、生產制造。

公司人才團隊知識結構完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊；還有來自工業界的高級裝備設計師團隊和工藝工程師團隊，他們具有20多年成套裝備設計和生產制造經驗。

公司依托于哈爾濱工業大學（深圳），具備先進的半導體研發平臺和檢測儀器，可以在高起點開展科研工作。公司已具有4000多平米潔凈廠房，可開展半導體材料和組件的中試、生產，同時可進行半導體裝備的生產和調試。

公司在半導體裝備方面已形成多種產品系列，可供用戶購買。

 

 

業績展示

 

完全自主設計制造的分子束外延（MBE）設備，包括自主設計制造的MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺、Rheed原位實時在線監控儀（反射高能電子衍射儀）、直線型電子槍、膜厚儀（可計量外延生長的分子層數）、射頻源等關鍵部件。真空度達到2×10-8Pa。

設備于2005年在浙江大學光學儀器國家重點實驗室投入使用，至今仍在正常使用。

設計制造磁控濺射與等離子體增強化學氣相沉積法PECVD技術聯合系統，應用于團簇式太陽能薄膜電池中試線。使用單位中科院電工所。

 

設計制造了金剛石薄膜制備設備，應用于金剛石薄膜材料的研究與中試生產設備。現使用單位中科院金屬研究所。

設計制造了全自動磁控濺射設備，可加水平磁場和垂直磁場，自行設計的真空機械手傳遞基片。應用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試。現使用單位國家光電實驗室。

設計制造了OLED有機半導體發光材料及器件的研究和中試成套裝備。現使用單位香港城市大學先進材料實驗室。

設計制造了MOCVD及合金退火爐，用于GaN和ZnO的外延生長，實現LED無機半導體發光材料與器件的研究和中試。現使用單位南昌大學國家硅基LED工程技術研究中心。

設計制造了磁控濺射研究型設備。現使用單位浙江大學半導體所。

設計制造了電子束蒸發儀研究型設備。現使用單位武漢理工大學。