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隨著行業技術革新和新材料性能發展，功率半導體器件結構朝復雜化演進，功率半導體的襯底材料朝大尺寸和新材料方向發展。以SiC（碳化硅)、GaN(氮化鎵)為代表的第三代寬禁帶半導體材料迅速崛起，它們通常具有高擊穿電場、高熱導率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、高溫穩定性以及可承受大功率等特點，使其在光電器件、電力電子、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現出巨大的潛力。
不同材料、不同技術的功率器件的性能差異很大。市面上傳統的測量技術或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求。但是寬禁帶半導體器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化鎵)的技術卻極大擴展了高壓、高速的分布區間，如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態特性，這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰。
靜態參數主要是指本身固有的，與其工作條件無關的相關參數。靜態參數測試又叫穩態或者DC（直流）狀態測試，施加激勵(電壓/電流)到穩定狀態后再進行的測試。主要包括：柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級間耐壓、源極漏級間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉移電容、輸出電容),以及以上參數的相關特性曲線的測試。
圍繞第三代寬禁帶半導體靜態參數測試中的常見問題，如掃描模式對SiC MOSFET 閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對SiC MOSFET 導通電阻的影響、等效電阻及等效電感對SiC MOSFET導通壓降測試的影響、線路等效電容對SiC MOSFET測試的影響等多個維度，針對測試中存在的測不準、測不全、可靠性以及效率低的問題，普賽斯儀表提供一種基于國產化高精度數字源表（SMU）的測試方案，具有更優的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力。詳詢一八一四零六六三四七六
系統特點
高電壓：支持高達3.5KV高電壓測試（Z大擴展至10kV）；
大電流：支持高達6KA大電流測試（多模塊并聯）；
高精度：支持uΩ級導通電阻、nA級漏電流測試；
豐富模板：內置豐富的測試模板，方便用戶快速配置測試參數；
配置導出：支持一鍵導出參數配置及一鍵啟動測試功能；
數據預覽及導出：支持圖形界面以及表格展示測試結果，亦可一鍵導出；
模塊化設計：內部采用模塊化結構設計，可自由配置，方便維護；
可拓展：支持拓展溫控功能，方便監控系統運行溫度；
可定制開發：可根據用戶測試場景定制化開發；
系統參數
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項目 |
參數 |
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集電極-發射極 |
Z大電壓 |
3500V |
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Z大電流 |
6000A |
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精度 |
0.10% |
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大電壓上升沿 |
典型值5ms |
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大電流上升沿 |
典型值15us |
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大電流脈寬 |
50us~500us |
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漏電流測試量程 |
1nA~100mA |
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柵極-發射極 |
Z大電壓 |
300V |
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Z大電流 |
1A(直流)/10A(脈沖) |
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精度 |
0.05% |
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Z小電壓分辨率 |
30uV |
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Z小電流分辨率 |
10pA |
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電容測試 |
典型精度 |
0.5% |
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頻率范圍 |
10Hz~1MHz |
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電容值范圍 |
0.01pF~9.9999F |
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溫控 |
范圍 |
25℃~150℃ |
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精度 |
±1℃ |
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測試項目
集電極-發射極電壓Vces，集電極-發射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發射極電壓Vges、柵極-發射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
